د غلط بریښنا رسولو مثبت او منفي سرکټ لوګی سره نښلول، څنګه د دې شرم څخه مخنیوی وشي؟

د هارډویر انجینرانو ډیری پروژې په سوري بورډ کې بشپړې شوي ، مګر په ناڅاپي ډول د بریښنا رسولو مثبت او منفي ترمینلونو سره وصل کیدو پیښه شتون لري ، چې د ډیری بریښنایی اجزاو سوځولو لامل کیږي ، او حتی ټوله تخته له مینځه وړل کیږي. بیا ویلډیډ شي، زه نه پوهیږم چې د حل لپاره کومه ښه لاره ده؟

تر ټولو لومړی، بې پروايي حتمي ده، که څه هم دا یوازې د مثبت او منفي دوه تارونو توپیر کول دي، یو سور او بل تور، کیدای شي یو ځل وتړل شي، موږ به غلطي ونه کړو. لس اړیکې به غلطې نه شي، مګر 1000؟ د 10,000 په اړه څه؟ په اوس وخت کې دا سخته ده چې ووایو، زموږ د بې احتیاطۍ له امله د بریښنا ځینې برخې او چپس سوځیدلي، اصلي لامل یې دا دی چې اوسنی ډیر سفیر اجزا مات شوي، نو موږ باید د بیرته راګرځیدو مخنیوي لپاره اقدامات وکړو. .

لاندې میتودونه معمولا کارول کیږي:

د 01 ډایډډ لړۍ ډول ضد ضد محافظت سرکټ

یو فارورډ ډایډ په سلسله کې د مثبت بریښنا انپټ سره وصل دی ترڅو د ډایډ د مخکینۍ کنډکشن او ریورس کټ آف ځانګړتیاو څخه بشپړه ګټه پورته کړي. په نورمال حالت کې، ثانوي ټیوب ترسره کوي او سرکټ بورډ کار کوي.

کله چې د بریښنا رسولو بیرته راګرځول کیږي، ډایډ قطع کیږي، د بریښنا رسول نشي کولی لوپ جوړ کړي، او سرکټ بورډ کار نه کوي، کوم چې کولی شي په اغیزمنه توګه د بریښنا رسولو ستونزې مخه ونیسي.

02 د ریکټیفیر پل ډول ضد ضد محافظت سرکټ

د ریکټیفیر برج څخه کار واخلئ ترڅو د بریښنا ان پټ په غیر قطبي ان پټ کې بدل کړئ، که چیرې د بریښنا رسولو سره وصل وي یا بیرته راشي، بورډ په نورمال ډول کار کوي.

که سیلیکون ډایډ د 0.6 ~ 0.8V په اړه د فشار کمښت ولري، د جرمینیم ډایډ هم د 0.2 ~ 0.4V په اړه د فشار کموالی لري، که د فشار کموالی خورا لوی وي، د MOS ټیوب د غبرګون ضد درملنې لپاره کارول کیدی شي، د MOS ټیوب د فشار راټیټ خورا کوچنی دی، تر څو ملیونونو پورې، او د فشار کموالی تقریبا د پام وړ نه دی.

03 د MOS ټیوب ضد ضد محافظت سرکټ

د MOS ټیوب د پروسې د ښه والي له امله ، د هغې د خپلو ملکیتونو او نورو عواملو له امله ، د دې ترسره کولو داخلي مقاومت کوچنی دی ، ډیری یې د ملیون کچه یا حتی کوچني دي ، نو د سرکټ ولټاژ کمیدل ، د سرکټ له امله رامینځته شوي بریښنا ضایع کول په ځانګړي توګه کوچني ، یا حتی د پام وړ ندي. ، نو د سرکټ ساتلو لپاره د MOS ټیوب غوره کړئ یو ډیر وړاندیز شوی لاره ده.

1) د NMOS محافظت 

لکه څنګه چې لاندې ښودل شوي: د بریښنا د چلولو په وخت کې، د MOS ټیوب پرازیتي ډایډ تیریږي، او سیسټم یو لوپ جوړوي. د سرچینې S احتمال د 0.6V په اړه دی، پداسې حال کې چې د دروازې G احتمال Vbat دی. د MOS ټیوب د پرانیستلو ولتاژ خورا ډیر دی: Ugs = Vbat-Vs، دروازه لوړه ده، د NMOS ds روان دی، پرازیتیک ډایډډ لنډ سرک شوی، او سیسټم د NMOS د ds لاسرسي له لارې لوپ جوړوي.

که چیرې د بریښنا رسولو بدله شي، د NMOS آن ولټاژ 0 دی، د NMOS قطع کیږي، پرازیتیک ډایډ بدل شوی، او سرکټ منحل شوی، په دې توګه محافظت رامینځته کوي.

2) د PMOS محافظت

لکه څنګه چې لاندې ښودل شوي: د بریښنا د چلولو په وخت کې، د MOS ټیوب پرازیتي ډایډ تیریږي، او سیسټم یو لوپ جوړوي. د سرچینې S احتمال د Vbat-0.6V په اړه دی، پداسې حال کې چې د G دروازې احتمال 0 دی. د MOS ټیوب د پرانیستلو ولتاژ خورا ډیر دی: Ugs = 0 – (Vbat-0.6)، دروازه د ټیټې کچې په توګه چلند کوي. د PMOS ds روان دی، پرازیتي ډایډ لنډ سرک شوی دی، او سیسټم د PMOS د لاسرسي له لارې لوپ جوړوي.

که چیرې د بریښنا رسولو بدله شي، د NMOS آن ولټاژ له 0 څخه ډیر وي، PMOS قطع کیږي، پرازیتیک ډایډ بیرته راستانه کیږي، او سرکټ منحل کیږي، پدې توګه محافظت رامینځته کوي.

یادونه: د NMOS ټیوب تار ds منفي الکتروډ ته، د PMOS ټیوب تار ds مثبت الکترود ته، او د پرازیتي ډایډ سمت په سمه توګه تړل شوي اوسني لوري ته دی.

د MOS ټیوب د D او S قطبونو ته لاسرسی: معمولا کله چې د N چینل سره MOS ټیوب کارول کیږي، جریان عموما د D قطب څخه ننوځي او د S قطب څخه تیریږي، او PMOS ننوځي او D له S څخه وځي. قطب، او برعکس ریښتیا ده کله چې په دې سرکټ کې پلي کیږي، د MOS ټیوب ولتاژ حالت د پرازیتي ډایډ د لیږد له لارې پوره کیږي.

د MOS ټیوب به په بشپړ ډول چالان شي تر هغه چې د G او S قطبونو ترمینځ مناسب ولتاژ رامینځته شوی وي. د ترسره کولو وروسته، دا داسې دی لکه یو سویچ د D او S تر مینځ تړل شوی، او اوسنی د D څخه S یا S څخه D ته ورته مقاومت لري.

په عملي غوښتنلیکونو کې، د G قطب عموما د مقاومت سره تړل کیږي، او د دې لپاره چې د MOS ټیوب د ماتیدو مخه ونیسي، د ولتاژ تنظیم کونکي ډیایډ هم اضافه کیدی شي. یو capacitor په موازي ډول د ویشونکي سره وصل دی د نرم پیل اغیز لري. په هغه وخت کې چې جریان په جریان پیل کوي، کیپسیټر چارج کیږي او د G قطب ولتاژ په تدریجي ډول جوړیږي.

د PMOS لپاره، د NOMS سره پرتله کول، Vgs اړین دی چې د حد ولټاژ څخه ډیر وي. ځکه چې د پرانیستلو ولتاژ کیدای شي 0 وي، د DS ترمنځ د فشار توپیر لوی ندی، کوم چې د NMOS په پرتله ډیر ګټور دی.

04 د فیوز محافظت

ډیری عام بریښنایی محصولات د فیوز سره د بریښنا رسولو برخې له خلاصیدو وروسته لیدل کیدی شي ، د بریښنا رسولو کې بیرته راګرځي ، د لوی جریان له امله په سرکټ کې شارټ سرکټ شتون لري ، او بیا فیوز فلج کیږي ، د بریښنا په ساتنه کې رول لوبوي. سرکټ، مګر پدې لاره کې ترمیم او بدیل ډیر ستونزمن دی.