چپس څنګه جوړیږي؟ د پروسې پروسې مرحله توضیحات

د چپ د پراختیا تاریخ څخه، د چپ پرمختګ لوري لوړ سرعت، لوړ فریکونسۍ، د ټیټ بریښنا مصرف دی. د چپ جوړولو په پروسه کې په عمده توګه د چپ ډیزاین، د چپ تولید، د بسته بندۍ تولید، د لګښت ازموینه او نور لینکونه شامل دي، چې په منځ کې یې د چپ تولید پروسه خورا پیچلې ده. راځئ چې د چپ تولید پروسې ته وګورو ، په ځانګړي توګه د چپ تولید پروسې.

لومړی د چپ ډیزاین دی، د ډیزاین اړتیاو سره سم، تولید شوی "پټون"

1، د چپ wafer خام مواد
د ویفر ترکیب سیلیکون دی ، سیلیکون د کوارټز شګې لخوا تصفیه کیږي ، ویفر د سیلیکون عنصر دی چې پاک شوی (99.999٪) ، او بیا خالص سیلیکون په سیلیکون راډ جوړیږي ، کوم چې د مربوط سرکټ جوړولو لپاره د کوارټز سیمیکمډکټر موادو بدلیږي. ، ټوټه د چپ تولید ویفر ځانګړی اړتیا ده. د ویفر پتلی، د تولید لګښت ټیټ دی، مګر د پروسې اړتیاوې لوړې دي.
2. Wafer coating
د ویفر کوټینګ کولی شي د اکسیډریشن او تودوخې مقاومت وکړي ، او مواد یو ډول فوتوریزیسټانس دی.
3، wafer lithography پراختیا، etching
دا پروسه کیمیاوي توکي کاروي چې د UV رڼا سره حساس دي، کوم چې دوی نرموي. د چپ شکل د سیوري موقعیت کنټرولولو سره ترلاسه کیدی شي. د سیلیکون ویفرونه د فوتوریزیسټ سره پوښل شوي ترڅو دوی په الټرا وایلیټ رڼا کې منحل شي. دا هغه ځای دی چیرې چې لومړی سیوري پلي کیدی شي ، ترڅو د UV ر lightا برخه منحل شي ، کوم چې بیا د محلول سره مینځل کیدی شي. نو پاتې برخه د سیوري په څیر ورته شکل دی، کوم چې موږ یې غواړو. دا موږ ته د سیلیکا پرت راکوي چې موږ ورته اړتیا لرو.
4، ناپاکۍ اضافه کړئ
آیونونه په ویفر کې ځای پرځای شوي ترڅو ورته P او N سیمیکمډکټرونه تولید کړي.
پروسه په سیلیکون ویفر کې د افشا شوي ساحې سره پیل کیږي او د کیمیاوي آئنونو مخلوط کې اچول کیږي. دا پروسه به هغه طریقه بدله کړي چې د ډوپینټ زون بریښنا ترسره کوي، هر ټرانزیسټر ته اجازه ورکوي چې د معلوماتو لیږد، بند یا لیږد کړي. ساده چپس کولی شي یوازې یو پرت وکاروي، مګر پیچلي چپس اکثرا ډیری پرتونه لري، او دا پروسه بیا بیا تکرار کیږي، مختلف پرتونه د پرانیستې کړکۍ په واسطه وصل شوي. دا د پرت PCB بورډ تولید اصول سره ورته دی. ډیر پیچلي چپس ممکن د سیلیکا ډیری پرتونو ته اړتیا ولري ، کوم چې د تکرار لیتوګرافي او پورته پروسې له لارې ترلاسه کیدی شي ، درې اړخیز جوړښت رامینځته کوي.
5. Wafer ازموینه
د پورتنیو څو پروسو وروسته، ویفر د دانې جال جوړ کړ. د هرې دانې بریښنایی ځانګړتیاوې د ستنې اندازه کولو له لارې معاینه شوې. عموما، د هر چپ د دانې شمیر خورا لوی دی، او د پن ټیسټ حالت تنظیم کول خورا پیچلي پروسه ده، کوم چې د تولید په جریان کې د امکان تر حده د ورته چپ ځانګړتیاو سره د ماډلونو ډله ایز تولید ته اړتیا لري. څومره چې حجم لوړ وي، د نسبي لګښت ټیټ وي، کوم چې یو له هغو دلیلونو څخه دی چې ولې اصلي چپ وسایل خورا ارزانه دي.
6. Encapsulation
وروسته له دې چې ویفر تولید شي ، پن ټاکل شوی ، او د اړتیاو سره سم د بسته بندۍ مختلف ډولونه تولید کیږي. همدا لامل دی چې ورته چپ کور کولی شي د بسته بندۍ مختلف ډولونه ولري. د بېلګې په توګه: DIP، QFP، PLCC، QFN، او داسې نور. دا په عمده توګه د کاروونکو د غوښتنلیک د عادتونو، د غوښتنلیک چاپیریال، د بازار بڼه او نور فکتورونو لخوا پریکړه کیږي.

7. ازموینه او بسته بندي
د پورتنۍ پروسې وروسته ، د چپ تولید بشپړ شوی ، دا مرحله د چپ ازموینه ، د عیب محصولاتو لرې کول او بسته کول دي.
پورته د چپ تولید پروسې اړوند مینځپانګه ده چې د کور کشف رامینځته کولو لخوا تنظیم شوي. زه امید لرم چې دا به تاسو سره مرسته وکړي. زموږ شرکت مسلکي انجینران او د صنعت غوره ټیم لري ، 3 معیاري لابراتوارونه لري ، د لابراتوار ساحه له 1800 مربع مترو څخه ډیر ده ، کولی شي د بریښنایی اجزاو ازموینې تصدیق ترسره کړي ، د IC ریښتیني یا غلط پیژندنه ، د محصول ډیزاین موادو انتخاب ، د ناکامۍ تحلیل ، فعالیت ازموینه ، د فابریکې راتلونکی موادو تفتیش او ټیپ او نورې ازموینې پروژې.